產品簡介

    砷化鎵（gallium arsenide），化學式GaAs，屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，由砷和鎵兩種元素化合而成，外觀呈亮灰色，具金屬光澤、性脆而硬，是當代國際公認的繼"硅（Silicon）"之后最成熟的化合物半導體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優越特性，是光電子和微電子工業最重要的支撐材料之一。

    在光電子工業領域應用層面，砷化鎵單晶可被用于制作LD（激光器）、LED（發光二極管）、光電集成電路（OEIC）、光伏器件等；
    在微電子工業領域應用層面，可被用于制作MESFET（金屬半導體場效應管）、HEMT（高電子遷移率晶體管）、HBT（異質結雙極晶體管）、IC、微波二極管、Hall器件等。

    主要涉及高端軍事電子應用、光纖通信系統、寬帶衛星無線通信系統、測試儀器、汽車電子、激光、照明等領域。作為重要的半導體材料，GaAs的電子遷移率為硅和氮化鎵的5倍，用于中小功率微波器件具有更低的功率損耗，因此在手機通訊、局域無線網、GPS和汽車雷達等領域中占主導地位。

 產品規格說明  

晶體材料	Single Crystal Gallium Arsenide, VGF / LECgrown, 高純單晶
晶向	(1 0 0) / (1 1 1)
摻雜	Undoped	Zn	Si / Te
直徑	50~150mm ± 0.25mm（2"、 3"、 4"、6"）
厚度	350 ± 25um / 550 ± 25um / 625 ± 25um
晶向	（ 100 ）or（111） α 0 ±β 0, off angle α and accuracy β upon request
電阻率	(1-30)x10 7 Ω.cm		(1-10)x10 -3 Ω.cm
遷移率	1500~3000       3000~5000 cm2 / V·sec		N / A
摻雜濃度	N / A		(0.1-3.0)×10 18 /cm3
腐蝕缺陷密度	≤ 5·103 cm-2	≤ 7·10 4cm-2	≤ 5·102 cm-2
主定位邊	(0-1-1)±0.5deg, 16 ±1.0mm /22±1.0mm/32.5±1.0mm
次定位邊	(0-1 1) )±5.0 deg, 8 ±1.0mm / 11±1.0mm/ 18±1.0mm
正面	Polished in Epi-ready Prime grade, 外延生長級拋光
反面	Polished / Lapping or Etched, 拋光 / 研磨或腐蝕
Epi-ready	Yes

 

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