產品簡介
銻化鎵為半導體材料。分子式為GaSb,閃鋅礦型結構,晶格常數0.6094nm,密度5.6137g/cm3,為直接帶隙半導體,室溫時禁帶寬度為0.70eV。產品技術參數
單晶 GaSb 摻雜 None None high R Zn Te Te high R 導電類型 P P- P+ N N 載流子濃度cm-3 1~2×1017 1~5×1016 1~5×1018 2~6×1017 1~5×1016 位錯密度cm-2 ＜103 生長方法 LEC 最大尺寸 Φ3″ 標準基片 Φ3″×0.5， Φ2″×0.5 表面處理 研磨，單拋，雙拋
商品標簽
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