產品簡介

       藍寶石（Sapphire,又稱白寶石，分子式為Al2O3）單晶是一種優秀的多功能材料。它耐高溫，導熱好，硬度高，透紅外，化學穩定性好。廣泛用于工業、國防和科研的多個領域（如耐高溫紅外窗口等）。同時它也是一種用途廣泛的單晶基片材料，是當前藍、紫、白光發光二極管（LED）和藍光激光器（LD）工業的首選基片（需首先在藍寶石基片上外延氮化鎵薄膜），也是重要的超導薄膜基片。

  產品規格說明  

  1.常規藍寶石晶片

         

Crystal Materials	99,996% of Al2O3,High Purity, Monocrystalline, Al2O3
Crystal quality	Inclusions, block marks, twins, Color, micro-bubbles and dispersal centers are non-existent
Diameter	2inch	3inch	4inch	5inch ～ 7inch
	50.8± 0.1mm	76.2±0.2mm	100±0.3mm	In accordance with the provisions of standard production
Thickness	430±15μm	550±15μm	650±20μm	Can be customized by customer
Orientation	C- plane (0001) to M-plane (1-100) or A-plane(1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, R-plane (1-1 0 2), A-plane (1 1-2 0 ), M-plane(1-1 0 0), Any Orientation , Any angle
Primary flat length	16.0±1mm	22.0±1.0mm	32.5±1.5 mm	In accordance with the provisions of standard production
Primary flat Orientation	A-plane (1 1-2 0 ) ± 0.2°
TTV	≤10μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm
LTV	≤10μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm
TIR	≤10μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm
BOW	≤10μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm
Warp	≤10μm	≤15μm	≤20μm	≤30μm
Front Surface	Epi-Polished (Ra< 0.2nm)
Back Surface	Fine ground (Ra=0.5 to 1.2 μm), Epi-Polished (Ra< 0.2nm)
Note	Can provide high-quality sapphire substrate wafer according to customers' specific requirement

 

 2. R面藍寶石晶片

 公司根據客戶的特殊需求，也另生產R面藍寶石晶片！

  

4寸R面藍寶石襯底	項目規格	尺寸與公差	單位
	直徑	100±0.3	mm
	厚度	500	μm
	厚度公差	±20	μm
	晶向	R面
	定向精度	定向精度＜0.08°（5′）
	基準邊	邊長：32.5 ± 1.5	mm
	基準邊晶向	（0ī11）	---
		定向精度＜0.08°（5′）
	表面粗糙度	<0.2	nm
	翹曲度（Warp）	<20	μm
	表面處理	雙面拋光	N/A

商品標簽