產品簡介：
二氧化硅片是指在硅片表面熱生長一層均勻的介質薄膜，用作絕緣、或者掩模材料。
氧化工藝包括高溫干氧氧化、高溫濕氧氧化。公司采用進口先進氧化設備、工藝實現氧化層均勻、準確的生成。
產品特點：
● 氧化層厚度均勻 ● 平整度好 ● 翹曲度小
● 尺寸公差小 ● 表面無光滑無瑕疵
產品規格說明
外形尺寸：
1",2",3",4",5",6",7 ~ 12"
可定制
型號
N型/ P型、本征（不摻雜）
客戶要求
直徑:
50 ~ 300mm
總厚度:
250 ~ 600 μm
可定制
厚度誤差
±10μm
氧化層厚度
50nm ~ 2000nm（常規100nm，200nm，300nm，500nm，1000nm）
客戶要求
平整度（TIR）
< 3 μm
翹曲度（BOW）
≤15μm
TTV:
≤15μm，30μm
粗糙度
< 0.5nm
電阻率:
0.001~ 20000 (Ω·cm)
客戶要求
晶向
商品標簽
用戶評論(共0條評論)
- 暫時還沒有任何用戶評論
