SOI是指將一薄層硅置于一絕緣襯底上。晶體管將在稱之為'SOI' 的薄層硅上制備。基于SOI結構上的器件將在本質上可以減小結電容和漏電流，提高開關速度，降低功耗，實現高速、低功耗運行。作為下一代硅基集成電路技術，SOI廣泛應用于微電子的大多數領域，同時還在光電子、MEMS等其它領域得到應用。
公司能夠提供100mm, 125mm, 150mm以及200mm圓片及其外延片。產品系列包括Simbond,鍵合圓片，高劑量和低劑量SIMOX圓片，并可根據用戶需求外延到所需的表層硅厚度。此外，公司還向用戶提供頂層硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系統集成用的高阻SIMOX圓片。
頂層硅的厚度可根據應用的不同而變化。借助精密儀器，鍵合技術以及外延設備，頂層硅最薄可達20納米，最厚可至幾十微米或更多。一個更厚的頂層硅對光通訊及MEMS器件尤其重要。
產品規格說明
外形尺寸
4"、5"、6"、8"
工藝
Smart cut; Bonding; SIMOX
類型
N/P
電阻率
可定制
頂層單晶厚度
0.22～50μm
埋氧層厚度
0.4～4μm
基底層厚度
100～500μm
TTV
< 3μm
Paritlce
<10@0.3μm
SOI圓片主要有以下特點：
1.提高運行速度
在特定的電壓下，建在SOI材料上電路的運行速度比建在普通硅材料上電路的速度提高百分之30%，這極大地提高了微處理器和其它裝置的性能。
2.降低能量損耗
SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特別適用于對能量消耗比較高的領域。
3.改進運行性能
SOI材料能承受高達350攝氏度甚至500攝氏度的高溫，對那些在惡劣環境下必須運轉良好的設備特別適用。
4.減小封裝尺寸
SOI材料能滿足IC制造商對產品越來越小的要求。
商品標簽
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