產品簡介
鍺晶片具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。鍺的熔密度5.32克／厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。鍺的發展仍具有很大的潛力。
產品規格說明
外形尺寸
2"~12"
純度
≥99.999%
晶體結構
單晶/多晶
導電類型
N/P
直徑
50～300mm/多晶380mm
電阻率
5～40 Ω·cm （客戶要求）
平整度
≤20μm
垂直度
< 5′
倒角
0.2～1mm
破邊
≤0.5mm
厚度
客戶要求
表面處理
拋光/非拋光（客戶要求）
產品簡介
鍺晶片具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發展超過重要作用。鍺的熔密度5.32克／厘米3，鍺可能性劃歸稀散金屬，鍺化學性質穩定，常溫下不與空氣或水蒸汽作用，但在600～700℃時，很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時，鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中，鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱，但熔融的堿在空氣中，能使鍺迅速溶解。鍺與碳不起作用，所以在石墨坩堝中熔化，不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質，如電子遷移率、空穴遷移率等等。鍺的發展仍具有很大的潛力。
產品規格說明
外形尺寸
2"~12"
純度
≥99.999%
晶體結構
單晶/多晶
導電類型
N/P
直徑
50～300mm/多晶380mm
電阻率
5～40 Ω·cm （客戶要求）
平整度
≤20μm
垂直度
< 5′
倒角
0.2～1mm
破邊
≤0.5mm
厚度
客戶要求
表面處理
拋光/非拋光（客戶要求）
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