產品簡介
銻化銦為立方晶系閃鋅礦型結構,晶格常數0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔點525℃。
為直接帶隙半導體,室溫禁帶寬度0.18eV,本征載流子濃度1.1×1022/m3,
本征電阻率6×10-4Ω·m,較純晶體的電子和空穴遷移率為10和0.17m2/(V·s)。
采用區域熔煉、直拉法制備。用于制作遠紅外光電探測器、霍耳器件和磁阻器件。
產品技術參數
單晶
InSb 備注 外形尺寸 2“ (50.8 ± 0.3mm) 客戶要求 厚度 400/500 ± 25μm 摻雜 None Te Ge 導電類型 N N P 載流子濃度cm-3 1~5x1014 _ 4x1016 1~4x1016 位錯密度cm-2 <2x102
商品標簽